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STB1132-Y/STB1132Y中等功率放大器应用晶体三极管--奥伟斯科技

时间:2019-05-28    来源:本站    点击:2082次   

[摘要] STB1132-Y/STB1132Y中等功率放大器应用晶体三极管--奥伟斯科技

AUK作为KODENSHI(可天士)集团旗下品牌,专注于半导体元器件、电子元器件、集成电路、塑料制品、自动化设备及其零配件、模具及其配件的开发、设计、制造。硅晶体管作为硅半导体的一种可变电流开关,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多重功能,常用作放大器或电控开关。晶体管开关频率高,响应速度快,准确性高;耐压范围大,结实可靠。

 

AUK推出的NPN硅晶体管STD1664PNP硅晶体管STB1132适用于中功率放大器等应用,均采用SOT-89封装,具有低集电极饱和电压,陶瓷基板采用40×40×0.8mm时集电极耗散功率为2W等特点。

 

STD1664,STB1132硅晶体管当工作温度为25℃时的结温TJ为150℃,存储温度Tstg为-55~150℃,可以满足工业级温度要求,适用于高低温工作环境和较恶劣的应用温度环境中。两款硅晶体管在工作温度为25℃时的各参数的最大额定值如下表:


集电极-基极电压VCBO

集电极-发射极电压VCEO

发射极-基极电压VEBO

集电极耗散功率PC

集电极耗散功率PC*

集电极电流IC

特征频率fT

STD1664

40V

32V

5V

0.5W

2W

1A

150MHz

STB1132

-40V

-32V

-5V

0.5W

2W

-1A

150MHz

表一 STD1664,STB1132硅晶体管具体参数表


图1 STD1664,STB1132硅晶体管的封装尺寸示意图  单位:毫米(mm)


STD1664,STB1132硅晶体管的产品特征:

• PC(集电极散耗功率)=2W(陶瓷基板采用40×40×0.8mm)

• STD1664低集电极饱和电压:VCE(sat)=0.15V(典型值)

• STB1132低集电极饱和电压:VCE(sat)=-0.2V(典型值)

• STD1664,STB1132彼此互补配对

• 采用SOT-89封装


STD1664,STB1132硅晶体管的市场应用:

• 中功率放大器

Leven Cai 蔡明柱

MOB : 13751188660

深圳市奥伟斯科技有限公司

OWEIS ELECTRONICS Co., LIMITED.

址址:深圳市福田区深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼701-703室

ADD:Rm701-703, Block A, Jiahe huaqiang Bldg., Shennan zhong Rd., Futian District, Shenzhen, Guangdong, China  518000

TEL : +86-755-82544779

FAX : +86-755-23805907

E-Mail : leven@oweis-tech.com  

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专业代理销售电容式触摸芯片 电源管理芯片 单片机 MOS管 IKSEMI一级代理 


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